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IR全新1200V IGBT提升功率密度和效率

時(shí)間:2013-06-16 09:24:45  來源:中國企業(yè)文化傳播網(wǎng)  作者:本網(wǎng)編輯 風(fēng)痕

本網(wǎng)訊 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 (UPS) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

全新器件采用IR的場(chǎng)截止溝道超薄晶圓技術(shù),可減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。該器件具有10us最小短路時(shí)間額定值,與具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的軟恢復(fù)二極管共同封裝,為堅(jiān)固的工業(yè)應(yīng)用做出了有效優(yōu)化。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“全新1200V溝道IGBT具有極低的Vce(on) 和低開關(guān)損耗,并帶來更高的系統(tǒng)效率及穩(wěn)固的瞬態(tài)效能,從而提高可靠性,使其非常適合惡劣的工業(yè)環(huán)境。”

這些經(jīng)過封裝的器件適用于從10A50A的寬泛的電流范圍。其他主要性能優(yōu)勢(shì)包括高達(dá)150°C Tjmax、有助于并聯(lián)的正VCE(on) 溫度系數(shù),以及能夠降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件還可提供裸片形式。

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